| 型号： | MCH6626-TL-E | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation | 描述： | MOSFET N/P-CH 20V 1.6/1A MCPH6 |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 阵列 |
| MCH6626-TL-E PDF |  |
| 产品目录绘图 | MCPH3 Package - P, N & N/P Channel Top |
| 标准包装 | 1 |
| 系列 | - |
| FET 型 | N 和 P 沟道 |
| FET 特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 1.6A，1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 230 毫欧 @ 800mA，4V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | - |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 1.4nC @ 4V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 105pF @ 10V |
| 功率 - 最大 | 800mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装 | 6-MCPH |
| 包装 | 标准包装 |
| 产品目录页面 | 1537 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | 869-1180-6 |